EC et Toshiba travaillent ensemble depuis quelques temps maintenant pour mettre au point une nouvelle technologie de mémoire baptisée "MRAM", qui pourrait remplacer à terme la mémoire Flash actuellement utilisée dans les téléphones mobiles, les baladeurs MP3 ou les PDA. Cette mémoire utilise des charges magnétiques pour stocker les informations (MRAM signifie Magnetic Random Access Memory). NEC et Toshiba annoncent que la MRAM pourrait permettre de développer des modules plus rapides, plus fiables et éventuellement moins coûteux à produire. Malheureusement, les fabricants se heurtent à quelques problèmes avec les cellules utilisées pour la MRAM, qui consommeraient trop d'énergie et empêcheraient de mettre au point des modules avec des capacités importantes. Ainsi, les fabricants seraient pour l'instant limités à une capacité de 16Mb (2 Mo) par chip, alors que pour la mémoire Flash on est sur le point d'atteindre déjà les 8 Gbit (1 Go). Les deux firmes annoncent toutefois qu'elles ont déjà commencé à trouver des solutions techniques à ces problèmes. Elles espèrent ainsi pouvoir proposer des modules MRAM de 256 Mbit (32 Mo) d'ici le début 2006 et prévoient que la mémoire MRAM pourra commencer à remplacer la mémoire Flash et éventuellement la DRAM à partir de 2010. La mémoire Flash a donc encore de beaux jours devant elle !