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 quelle type de barrette mémoire ?
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maputo
  Posté le 01/03/2009 @ 20:11 
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Petit astucien

bonjour

je voudrais acheter une barrette de 1 go .

j'ai actuellement 768 mo = 1 samsung de 268 et une corsair de 500 mo . le problème c'est que les appellations ont changées .

j'ai des DDR SDRAM .

merci.

j'ai un rapport EVEREST , mais le copier coller ne fonctionne pas .

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cherydan
 Posté le 01/03/2009 à 20:45 
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  Grand Maître astucien

maputo
 Posté le 01/03/2009 à 22:52 
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Petit astucien

bonsoir

trés beau et bien fait ton tuto .

j'avais pas vu les nouvelles fonctionnalités pour coller un texte !!...

voila donc le rapport =

[ DIMM5: Samsung M3 68L3223ETN-CB3 ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 68L3223ETN-CB3
Numéro de série 0604B251h
Taille du module 256 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC2700 (166 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)

Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré

Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm

[ DIMM6: Corsair VS512MB400 ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Corsair VS512MB400
Numéro de série Aucun(e)
Taille du module 512 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)

[ DIMM5: Samsung M3 68L3223ETN-CB3 ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 68L3223ETN-CB3
Numéro de série 0604B251h
Taille du module 256 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC2700 (166 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)

Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré

Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm

[ DIMM6: Corsair VS512MB400 ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Corsair VS512MB400
Numéro de série Aucun(e)
Taille du module 512 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)

[ DIMM5: Samsung M3 68L3223ETN-CB3 ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 68L3223ETN-CB3
Numéro de série 0604B251h
Taille du module 256 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC2700 (166 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)

Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré

Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm

[ DIMM6: Corsair VS512MB400 ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Corsair VS512MB400
Numéro de série Aucun(e)
Taille du module 512 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)

[ DIMM5: Samsung M3 68L3223ETN-CB3 ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 68L3223ETN-CB3
Numéro de série 0604B251h
Taille du module 256 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC2700 (166 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)

Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré

Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm

[ DIMM6: Corsair VS512MB400 ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Corsair VS512MB400
Numéro de série Aucun(e)
Taille du module 512 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)

[ DIMM5: Samsung M3 68L3223ETN-CB3 ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 68L3223ETN-CB3
Numéro de série 0604B251h
Taille du module 256 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC2700 (166 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)

Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré

Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm

[ DIMM6: Corsair VS512MB400 ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Corsair VS512MB400
Numéro de série Aucun(e)
Taille du module 512 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)

[ DIMM5: Samsung M3 68L3223ETN-CB3 ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 68L3223ETN-CB3
Numéro de série 0604B251h
Taille du module 256 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC2700 (166 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)

Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré

Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm

[ DIMM6: Corsair VS512MB400 ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Corsair VS512MB400
Numéro de série Aucun(e)
Taille du module 512 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)

[ DIMM5: Samsung M3 68L3223ETN-CB3 ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 68L3223ETN-CB3
Numéro de série 0604B251h
Taille du module 256 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC2700 (166 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)

Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré

Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm

[ DIMM6: Corsair VS512MB400 ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Corsair VS512MB400
Numéro de série Aucun(e)
Taille du module 512 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)

[ DIMM5: Samsung M3 68L3223ETN-CB3 ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 68L3223ETN-CB3
Numéro de série 0604B251h
Taille du module 256 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC2700 (166 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)

Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré

Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm

[ DIMM6: Corsair VS512MB400 ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Corsair VS512MB400
Numéro de série Aucun(e)
Taille du module 512 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)

[ DIMM5: Samsung M3 68L3223ETN-CB3 ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 68L3223ETN-CB3
Numéro de série 0604B251h
Taille du module 256 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC2700 (166 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)

Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré

Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm

[ DIMM6: Corsair VS512MB400 ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Corsair VS512MB400
Numéro de série Aucun(e)
Taille du module 512 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)

***************************************************

j'ai vu des barettes sur grosbill.com., une samsung 1 GO pc 3200 mais à 400 mhz et celle que j'ai c'est 200 mhz.

aussi une corsair mais + chère.

que me conseilles tu ?

merci

benico
 Posté le 01/03/2009 à 22:59 
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Petit astucien

hello

sinon tu peux aller sur ce site : http://www.ramshopping.fr/configurator-kingston.php?RamShopSID=1e06b9ddc81ae1f3274149c8194b4254

tu as un configurateur pour memoires,tu met ton pc (marque,type etc...) et cela te donne les mémoires que tu peux mettre.

tu prends les references et tu trouves les moins chères sur le net

bonne recherche

cherydan
 Posté le 01/03/2009 à 23:05 
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  Grand Maître astucien

en fait tu as du 400mhz mais comme c'est de la DDR (double data rate) 200mhz x 2 = 400mhz

donc tu peux mettre de la DDR 400mhz pc 3200

si tu pouvais donner les références de la carte mère ou de l'ordi (ex hp pavilion 8xxx)

maputo
 Posté le 01/03/2009 à 23:28 
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Petit astucien

ok , merci bien pour l'info .

voilà le rapport complet

http://cjoint.com/?ddxx5KhrtE

maputo
 Posté le 01/03/2009 à 23:33 
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Petit astucien

j'en ai sélectionné 3 =

SAMSUNG ORIGINAL DIMM - 1 Go - PC3200 - 400 MHz -

KINGSTON Value RAM - 1 Go - PC3200 - 128Mx64 - 400 MHz

CORSAIR Value DIMM 1 Go PC3200 (400Mhz).

la kingston fonctionnera t elle ? . il parait qu'on ne sais jamais avec certitude ....

cherydan
 Posté le 02/03/2009 à 07:50 
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  Grand Maître astucien

ta carte mère ne supporte que 1go de ram en 400 MHZ et 2go en 333 MHZ

la Kingston fonctionne très bien

maputo
 Posté le 04/03/2009 à 18:01 
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Petit astucien

bonjour

je viens de " percuter " tes explications.

si je comprends bien je dois trouver une barette à 1 GO , mais ayant une cadence ( ? ) de 333 mhz maximum ?

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maputo
 Posté le 04/03/2009 à 18:13 
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Petit astucien

Capacité de stockage 1 Go
Technologie DDR SDRAM
Type de mise à niveau Générique
Facteur de forme DIMM 184 broches
Vitesse de mémoire 333 MHz ( PC2700 )
Facteur de Forme DIMM 184 broches
Latence CAS CL2.5
Vitesse de Mémoire 333 MHz ( PC2700 )
Caractéristiques Mémoire sans tampon
Vérification de l'intégrité des données NON ECC
Vérification de l'Intégrité des Données NON ECC
Tension d'alimentation 2.5 V
Temps de latence CL2.5
Placage du connecteur Or
Garantie du fabricant Garantie limitée à vie
Garantie du fabricant
Général Capacité de stockage : 1 Go
Type de mise à niveau : Générique

Mémoire Type : DRAM
Technologie : DDR SDRAM
Facteur de forme : DIMM 184 broches
Facteur de Forme : DIMM 184 broches
Hauteur du module (en pouces) : 1.25
Vitesse de mémoire : 333 MHz ( PC2700 )
Temps d'accès : 6 ns
Vitesse de Mémoire : 333 MHz ( PC2700 )
Latence CAS : CL2.5
Caractéristiques : Mémoire sans tampon
Temps de latence : CL2.5
Vérification de l'intégrité des données : NON ECC
Vérification de l'Intégrité des Données : NON ECC
Fonctionnalités de la RAM : Mémoire sans tampon
Configuration de module : 128 x 64
Tension d'alimentation : 2.5 V
Placage du connecteur : Or

*******************************************

c'est ok , celle ci ?

Il y en a une autre = bla bla ...." vitesse du bus = 200 mhz , pc 3200 " ...???.

pfffffffffff !!

cherydan
 Posté le 04/03/2009 à 18:21 
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  Grand Maître astucien

si tu veux mettre un total de 2go de ram, il te faut 2 barrettes de 1go chacune en DDR 333mhz

maputo
 Posté le 04/03/2009 à 19:20 
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Petit astucien

ah , ok ...je te remercie ...j'y vois plus clair !

bonne soirée , DAN

cherydan
 Posté le 04/03/2009 à 20:27 
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  Grand Maître astucien

bonne soirée à toi maputo

@@@+++

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